特許
J-GLOBAL ID：200903071569935091
冷陰極電子源の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293356
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147131
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、簡易なプロセス及び低廉なコストで大面積化が可能で安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源素子を製造することができる冷陰極電子源の製造方法を提供する。【構成】 本発明の冷陰極電子源の製造方法は、エミッタ3用導体層表面に、感光面である上主面よりも、前記エミッタ3用導体層側の下主面の面積が小さい庇状を呈するようなレジスト膜を楔状に形成する工程と、前記レジスト膜よりはみ出た前記エミッタ3用導体層をエッチングにより除去する工程を含むものである。これにより、曲率半径50nm以下の尖鋭化された先端をもつエミッタ3による安定かつ良好な特性を発揮し得る冷陰極電子源素子を簡易なプロセスで再現性良く、また低廉なコストで歩留まり良く製造することができ、大面積化が可能となる。
請求項（抜粋）：
エミッタ用導体層表面に、感光面である上主面よりも、前記エミッタ用導体層側の下主面の面積が小さい庇状を呈するようなレジスト膜を楔状に形成する工程と、前記レジスト膜よりはみ出た前記エミッタ用導体層をエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする冷陰極電子源の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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