特許

J-GLOBAL ID：200903071593043258

半導体素子の製造方法

発明者： 西原 喜明 ,  ジュンヨル ジョ
出願人/特許権者： 住重試験検査株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326366
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体素子の電力消費を減少させるとと共に、スイッチング速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】 第1導電型及び第2導電型の不純物をドーピングして得られる相互接合を有する半導体素子の製造方法において、半導体素子の表面に、250keVから500keVのエネルギー範囲内にある電子線あるいは荷電粒子を照射し、この電子線あるいは荷電粒子の照射後に、照射された半導体素子に対して水素雰囲気中でアニーリング処理を行うようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型及び第2導電型の不純物をドーピングして得られる相互接合を有する半導体素子の製造方法において、上記半導体素子の表面に、250keVから500keVのエネルギー範囲内にある電子線あるいは荷電粒子を照射し、この電子線あるいは荷電粒子の照射後に、照射された半導体素子に対して水素雰囲気中でアニーリング処理を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/322 L ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/91 J ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/78 658 H

Fターム (2件)：

5F005AF02 ,  5F005AG02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-038058
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314330   出願人：サンケン電気株式会社
• 特開昭55-038058