半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314330
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135509
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基体に電子線を投射して形成した欠陥の安定化をアニーリングによって良好に達成することができなかった。【解決手段】半導体基体1に電子線を投射して欠陥を生じさせる。次に、水素雰囲気中で半導体基体1をアニーリングする。

請求項（抜粋）：

半導体装置を形成するための半導体基体の少なくとも一部の半導体領域に荷電粒子を投射して前記半導体領域のキャリアのライフタイムを調整する工程と、前記荷電粒子が投射された半導体基体を水素を含む雰囲気中で熱処理する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , G21K 5/04 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/322 L , G21K 5/04 A , H01L 29/78 658 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

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