特許

J-GLOBAL ID：200903071599599347

ハードレーザマーキングウェーハおよびその製造方法

発明者： 又川 敏
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286173
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 ハードレーザマークに起因するウェーハ平坦度の低下を解消する。研磨時ウェーハ表面に傷がつくことを防止する。【解決手段】 エッチドウェーハにハードレーザマーキングを施す。ハードレーザマーク形成部の周縁に環状の隆起部aが形成される。マーキングされたウェーハ表面をディスコ株式会社製の#1500〜#3000のレジノイドボンド研削砥石を用いて研削する。環状の隆起部が削り取られる。次いで、研削された半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する。研削により隆起部が除去されて平坦化されたウェーハ表面を研磨する。その結果、ハードレーザマークに起因したウェーハ平坦度の低下という課題を解消することができる。研磨時、ハードレーザマーク形成部から脱落した隆起部の破片によって、ウェーハ表面に傷がつくことを防止することもできる。

請求項（抜粋）：

エッチング後の半導体ウェーハの表面にハードレーザマーキングを施した後、この半導体ウェーハの表面を研削し、次いでウェーハ研削面を鏡面研磨することで得られたハードレーザマーキングウェーハ。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/304 621 ,  B23K101:40

FI (4件)：

H01L 21/02 A ,  B23K 26/00 B ,  B23K 26/00 H ,  H01L 21/304 621 Z

Fターム (2件)：

4E068AB01 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-052124
  
• 特開平3-098769
  
• 研削加工方法及び研削盤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-004499   出願人：株式会社日立製作所