特許
J-GLOBAL ID：200903071665117618
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142544
公開番号（公開出願番号）：特開平10-334675
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】1回のアクセスで書き込みを行うべき複数のメモリセルを分割し、複数回に分けて書き込み動作を行う不揮発性半導体記憶装置における書き込み時間を短縮する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置100はビット数検出回路120を備えている。ビット数検出回路120は、カウント回路604、分割制御回路606及びラッチ回路602を有し、カウント回路604にて書き込みを行うべきメモリセル数をカウントし、カウント値に基づき分割制御回路606は同時に書き込みを行う4個のメモリセルを特定し、これに対応するラッチ回路602以外のラッチ回路602をリセットして書き込みを禁止する。
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセルと、前記複数の不揮発性メモリセルに格納されたデータを読み出す読出手段と、前記読出手段により読み出された前記データと前記複数のメモリセルに格納すべきデータとを比較する比較手段と、前記比較手段の比較結果に基づき、前記複数の不揮発性メモリセルのうち書き込みを行うべきメモリセルの数を計数する計数手段と、前記計数手段による計数値に基づき前記書き込みを行うべきメモリセルの少なくとも一部を特定しこれら特定されたメモリセルに対して同時に書き込みを行う書込手段とを備える不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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