特許

J-GLOBAL ID：200903071685425238

半導体装置の製造方法

発明者： 里見 正人
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330720
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134546
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 硬度の異なる金属膜を析出させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】異なる硬度の金属の積層膜を備えた半導体装置を形成する場合、メッキ液の温度を断続的、あるいは連続的に変えることによって、硬度の異なる金属膜を析出させて形成する。

請求項（抜粋）：

異なる硬度の金属膜からなる積層膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記積層膜は、メッキ液の温度を断続的、あるいは連続的に変えることによって、硬度の異なる金属膜を析出させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/88 T

Fターム (15件)：

4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024BB12 ,  4K024CA04 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ27 ,  5F033VV07 ,  5F033WW03 ,  5F033XX12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-276247
  
• 半導体装置のバンプ電極構造およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-247091   出願人：カシオ計算機株式会社