特許

J-GLOBAL ID：200903078988981243

半導体装置のバンプ電極構造およびその形成方法

発明者： 若林 猛
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077232
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 ボンディング時に金バンプが不要につぶれることがなく、かつボンディング時の加圧力を金バンプで十分に吸収し、さらにTABテープのインナーリードとの密着性を十分に良くする。【構成】 金バンプは、硬度が50Hv以上の下層金バンプ9と、硬度が50Hv未満の上層金バンプ10とによって構成されている。この場合、下層金バンプ9の硬度が50Hv以上と比較的高いので、ボンディング時における下層金バンプ9の変形量が少なく、したがってボンディング時に下層金バンプ9が不要につぶれないようにすることができる。また、上層金バンプ10の硬度が50Hv未満と比較的低いので、ボンディング時における上層金バンプ10の変形量が大きく、したがってボンディング時の加圧力を上層金バンプ10で十分に吸収することができ、またTABテープのインナーリード23との密着性を十分に良くすることができる。

請求項（抜粋）：

金バンプを備えた半導体装置のバンプ電極構造において、前記金バンプを、硬度が50Hv以上の下層金バンプと、硬度が50Hv未満の上層金バンプとによって構成したことを特徴とする半導体装置のバンプ電極構造。

FI (2件)：

H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-240048
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157086   出願人：富士通株式会社