特許
J-GLOBAL ID：200903071728307331
光電変換素子の製造方法および光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271093
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152179
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】耐久性を確保すると共に初期特性を向上することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】作用電極10および対向電極20と共に、電解質含有体30を備えた色素増感型の光電変換素子を製造する際に、まず、多孔質構造を有する金属酸化物半導体層12に色素14が担持されている作用電極10と、対向電極20とを作製する。次に、所定の間隔を有するように作用電極10および対向電極20を貼り合わせる。続いて、作用電極10および対向電極20の間に低粘度液体を注入し多孔質構造に含浸させたのち、高粘度物質を注入し、電解質を調整することにより電解質含有体30を形成する。電解質の粘度が高くても、電解質塩の多孔質構造中への分散が早くなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
色素を担持した多孔質構造を有する作用電極と、前記作用電極の多孔質構造を有する側に対向配置された対向電極との間に電解質含有体を形成する電解質含有体形成工程を含み、
前記電解質含有体形成工程が、低粘度液体を前記多孔質構造に含浸させたのちに、前記低粘度液体よりも高い粘度の高粘度物質を前記作用電極および前記対向電極の間に充填する工程を含む
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB06
, 5H032BB10
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032HH00
, 5H032HH02
