特許
J-GLOBAL ID:200903082173795671
光電変換素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-109903
公開番号(公開出願番号):特開2004-319197
出願日: 2003年04月15日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】セルの形成が容易で電解質の本来の特性を十分に発揮させることのできる光電変換素子の製造方法および該製造方法で得られる光電変換素子を提供する。【解決手段】増感色素を表面に担持させた多孔質酸化物半導体層を有する作用極、該作用極の多孔質酸化物半導体層側においてこれに対向して配置される対極およびこれら両極の間の少なくとも一部に電解質層を配した光電変換素子の製造方法において、該電解質層がゲル化電解質または固体電解質からなるものであり、該電解質層を作用極と対極の間に挟んで作用極/電解質/対極の積層体とし、電解質が流動化した状態で該積層体に荷重を加えることを特徴とする光電変換素子の製造方法および光電変換素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
増感色素を表面に担持させた多孔質酸化物半導体層を有する作用極、該作用極の多孔質酸化物半導体層側においてこれに対向して配置される対極およびこれら両極の間の少なくとも一部に電解質層を配した光電変換素子の製造方法において、該電解質層がゲル化電解質または固体電解質からなるものであり、該電解質層を作用極と対極の間に挟んで作用極/電解質/対極の積層体とし、電解質が流動化した状態で該積層体に荷重を加えることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (13件):
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051CB29
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032CC17
, 5H032EE02
, 5H032HH06
引用特許: