特許
J-GLOBAL ID：200903071751436734
シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030756
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334869
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 メンテナンス作業での塩酸ガスの発生を抑制することができるシリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法を提供する。【解決手段】 熱処理装置1はヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給して半導体ウエハ10にシリコン窒化膜を形成する反応管2と、反応管2に接続された排気管16とを備えている。そして、排気管16を分解して洗浄する前に、昇温用ヒータ12により反応管2を500°C〜900°Cに加熱し、排気管用ヒータ20により、排気管16及びバルブ17を100°C〜200°Cに加熱する。そして、処理ガス導入管13からアンモニアを供給する。
請求項（抜粋）：
被処理体を収容する反応室と、前記反応室内にヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給するガス供給手段と、前記反応室内を前記ヘキサクロロジシランと前記アンモニアとが反応可能な温度に設定する第1加熱部と、前記反応室に接続され、所定の温度に設定可能な第2加熱部を有する排気管と、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して、前記反応室を所定の圧力に設定する排気手段と、前記排気管を塩化アンモニウムが気化可能な温度に加熱させるとともに、前記排気管にアンモニアを供給させる制御手段と、を、備えることを特徴とするシリコン窒化膜の形成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/42
, C23C 16/44
H01L 21/31 B
, C23C 16/42
, C23C 16/44 J
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030DA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA04
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AB33
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045EG07
