特許
J-GLOBAL ID：200903071765537185
電力増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189103
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032437
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】低電源電圧下でも高出力化と高安定化とを両立して達成させるとともに、外付け部品の大幅な低減を可能にする。【構成】プッシュ・プル出力回路をインバーテッド・ダーリントン接続回路をなすバイポーラトランジスタで形成するとともに、上記インバーテッド・ダーリントン接続回路にてローカル負帰還回路を形成する帰還コンデンサと、増幅器全体の位相回りによる発振を抑制するための進相コンデンサを上記半導体基板に集積形成し、さらに上記帰還コンデンサは二酸化珪素よりも高い誘電率の誘電膜を含む容量で形成し、上記進相コンデンサは上記半導体基板内のPN接合容量で形成する。
請求項（抜粋）：
第1動作電位点と出力端子との間にコレクタ・エミッタ経路が接続されたNPN型の第1のトランジスタと、上記出力端子と第2動作電位点との間にコレクタ・エミッタ経路が接続されたNPN型の第2のトランジスタと、上記第1のトランジスタのベースにコレクタが接続されたPNP型の第3のトランジスタと、上記第2のトランジスタのベースにコレクタが接続されたPNP型の第4のトランジスタと、上記第4のトランジスタのエミッタにエミッタが接続されたNPN型の第5のトランジスタと、上記第5のトランジスタのベースと上記出力端子との間に接続されたバイアス・ダイオードを含む第1のバイアス回路とが半導体集積回路をなす一つの半導体基板上に形成されてなり、上記第1のトランジスタのベースは上記第3のトランジスタのコレクタ信号により駆動され、上記第2のトランジスタのベースは上記第4のトランジスタのコレクタ信号により駆動されることによって、上記第1のトランジスタと上記第2のトランジスタとがプッシュプル動作する電力増幅器であって、上記第3のトランジスタのベース・コレクタ間には第1の容量が接続され、上記第2のトランジスタのベース・コレクタ間には第2の容量が接続され、上記第1のバイアス回路の上記バイアス・ダイオードの両端間には第3の容量が接続され、上記第1の容量と上記第2の容量は二酸化珪素よりも高い誘電率の誘電膜を含む容量によって上記半導体基板にそれぞれ形成されてなり、上記第3の容量は上記半導体基板内のPN接合容量によって形成されてなることを特徴とする電力増幅器。
IPC (3件)：
H03F 3/30
, H03F 3/45
, H03F 3/68
H03F 3/30
, H03F 3/45 Z
, H03F 3/68 A
