特許
J-GLOBAL ID：200903071776641480
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338764
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161695
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】高周波誘導結合方式としては比較的高いガス圧でもイオンに富み、ラジカルを抑制した高密度プラズマを安定的に得ることができ、しかもエッチング速度及び選択比を高めるプラズマ処理方法を提供する。【目的】【構成】 本プラズマ処理方法は、処理室1頂面の外面に石英ガラス等からなる絶縁材19を介して配設された渦状の高周波アンテナ20に13.56MHzの高周波電力を印加し、処理室1内でCHF3ガスの誘導プラズマを発生させ、処理室1内に配置された半導体ウエハWにエッチングを施す際に、半導体ウエハWを10〜100mTorrのガス圧で処理することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
処理室外部に絶縁材を介して配設された高周波電極に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理ガスに誘導性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に配置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、上記被処理体を10〜100mTorrのガス圧で処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 B
