特許
J-GLOBAL ID：200903071858959411

二重拡散型MOSFETおよびこれを用いた半導体装置

発明者：
濱澤 靖史

濱澤 靖史 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010127
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218348
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 L-DMOSFET本来の特性を損なうことなく、また素子面積の増大を招くことなく、高い静電破壊耐量を得ることができるL-DMOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域13と、ドレイン領域13内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域15と、ボディ領域15内に形成されたN型ソース領域16と、ボディ領域15表面に形成されたゲート電極21とを含み、ドレイン領域13内に、N+型ドレインコンタクト領域18とP+型領域19とを同電位となるように形成してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたN型半導体層からなるドレイン領域と、前記ドレイン領域内に形成されたP型半導体領域からなるボディ領域と、前記ボディ領域内に形成されたN型ソース領域と、前記ボディ領域表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを含み、前記ドレイン領域内に、ドレイン領域表面に形成されたN+型ドレインコンタクト領域、および前記N+型ドレインコンタクト領域と同電位となるように電気的に接続されたP型領域とを具備してなることを特徴とする二重拡散型MOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 K
Fターム (20件)：
5F140AA18 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AA32 ,  5F140AA38 ,  5F140AB07 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140BA16 ,  5F140BD19 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BH04 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ25 ,  5F140CD02 ,  5F140DA08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭62-131580
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-050776   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-131580
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-050776   出願人：株式会社東芝

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