半導体レーザを用いた焼入れ方法および焼入れ装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：角田嘉宏 , 古川安航 , 西谷俊男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249876
公開番号（公開出願番号）：特開2007-063606
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】大面積の焼入れを短時間で行えるレーザ焼入れ方法を提供すること、および、複雑なパターンの焼入れを容易に行うことができるレーザ焼入れ方法およびレーザ焼入れ装置を提供すること。【解決手段】半導体レーザバーと集光系とを有するレーザユニットを前記集光系が内側を向くように複数個配置し、前記レーザユニットから出射されたレーザビームの楕円スポットをワークの焼入れ面上に配列させることにより焼入れを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザ照射装置の1以上の半導体レーザで発生したレーザビームを、複数の楕円形のスポットが配列されたスポットパターンがワーク上に形成されるように前記ワークに照射し、前記スポットパターンにより、前記ワークを焼き入れするレーザ焼入れ方法。

IPC (4件)：

C21D 1/09 , B23K 26/00 , C21D 1/62 , B23K 26/073

FI (5件)：

C21D1/09 H , B23K26/00 E , C21D1/09 M , C21D1/62 , B23K26/073

Fターム (3件)：

4E068AH00 , 4E068CD02 , 4E068CD05

引用特許：

出願人引用 (1件)

再表02/009904号公報

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