半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002567
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191154
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】パターン切れによるLDチップ用電極のメタル切れの発生を防止することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】平坦な一主面11を有する基体部1と、該基体部1の主面11の一部の領域上に形成された、該主面11に対し45°傾斜したミラー面5を有するミラー部2とを有する基板3と、上記ミラー面5に向けレーザ光9を出射するよう配置された半導体レーザチップ4と、基体部1の一主面11のミラー部2以外の領域上に形成され、その一部の面上に半導体レーザチップ4が載置されたLDチップ用電極6と、基体部1の一主面11のミラー部2以外の領域に配設された、レーザ光9の反射光を検出するための信号再生用受光素子7とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

平坦な一主面を有する基体部と、該基体部の主面の一部の領域上に形成された、該主面に対し45°傾斜したミラー面を有するミラー部とを有する基板と、上記ミラー面に向け、上記基体部の主面に平行にレーザ光を出射するよう配置された半導体レーザチップと、上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の領域上に形成され、その一部の面上に上記半導体レーザチップが載置され、該半導体レーザチップの電極として作用する電極膜と、上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の領域に配設された、上記レーザ光の反射光を検出するための信号再生用受光素子とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/00 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-162687
特開平3-274781
特開平1-270382

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