微小欠陥検査方法およびその装置並びに露光方法および半導体基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022312
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221267
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】本課題は、半導体ウエハおよびホトマスク、レチクル、液晶基板等、微細パターンが形成された基板の表面における微小異物等の微小欠陥を簡単な構成で、高感度で検出する微小異物検査方法およびその装置並びに露光方法および半導体基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】基板表面のパターンを構成する主要な直線群に対し、それら直線群と同方向から斜方照明を行う第1の照明系(2、20)と、直交する方向から斜方照明を行う第2の照明系(3、30)と、発生する散乱光を集光して、照明方向別に光線分離し、フーリエ変換面上に設けた空間フィルタ(44、444)によりパターンからの回折光を遮光し、検出器(51、551)に結像する検出光学系(4)と、検出器の出力をしきい値を設定して2値化する2値化回路(113、123)と、各2値化結果の論理積を求める回路(57)等から構成される。

請求項（抜粋）：

表面にパターンが形成された基板上の所望の個所に、第1の照明光を表面側から前記パターンを構成する主要な直線群の直線方向に対してほぼ同じ方向から斜方照射すると共に第2の照明光を表面側から前記主要な直線群の直線方向に対してほぼ直交する方向から斜方照射し、前記基板の表面から発生する散乱光を集光光学系で集光して前記第1の照明光による散乱光と前記第2の照明光による散乱光とに分離し、分離後の各フーリエ変換面上に設けた空間フィルタによりパターンからの散乱光を遮光し、空間フィルタを通過したそれぞれの散乱光を第1および第2の検出器の各々で受光して信号に変換し、該第1および第2の検出器の各々から得られる信号を比較して前記基板の表面に存在する微小欠陥を前記パターンの微細構造部分からなるエッジと弁別して検出することを特徴とする微小欠陥検査方法。

IPC (4件)：

G01N 21/88 , G03F 1/08 , H01L 21/66 , H01L 21/027

FI (5件)：

G01N 21/88 E , G03F 1/08 B , G03F 1/08 T , H01L 21/66 J , H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-250871 出願人：松下電器産業株式会社
特開平1-117024

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