電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法および電気的書換可能な不揮発性メモリのテストプログラムを記録した情報記録媒体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005189
公開番号（公開出願番号）：特開2000-207897
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 EEPROMのテストに要する時間を大幅に短縮する。【解決手段】演算処理部23は、まずEEPROM31の小領域311でメモリテストを行うべく、書き込みパルスまたは消去パルスのパルス幅を初期値に設定して波形整形部21に書き込みパルスまたは消去パルスをEEPROM31に供給させ、つづいて一致判定部24は小領域311から読み出されたデータをチェックする。このメモリテストの結果が異常の場合、演算処理部23および一致判定部24はメモリテストの結果が正常となるまでメモリテストを繰り返す。次に、演算処理部23は、上記メモリテストを繰り返した回数にもとづき書き込みパルスまたは消去パルスのパルス幅を設定し、EEPROMの残りの他領域312においてメモリテストを行う。

請求項（抜粋）：

EEPROMに対し書き込みまたは消去のためのパルスを供給してデータの書き込みまたは消去を行い結果を前記EEPROMから読み出してデータの書き込みまたは消去が正しく行われたか否かを判定するメモリテストを実行し、前記メモリテストの結果にもとづいて書き込みまたは消去を適切に行う条件を特定する電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法であって、書き込みパルスまたは消去パルスの特性を第1の特性に設定して前記EEPROMの一部の記憶領域で前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、テスト結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返し、前記メモリテストを繰り返した回数にもとづき前記書き込みパルスまたは前記消去パルスの前記特性を初期特定として第2の特性に設定して、前記EEPROMの残りの記憶領域に対して前記メモリテストを行い、前記メモリテストの結果が異常の場合には、前記メモリテストの結果が正常となるまで前記メモリテストを繰り返し、前記EEPROMの前記一部の記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数に、前記残りの記憶領域において結果が正常となるまで繰り返した前記メモリテストの回数を加算した値を、書き込みまたは消去を適切に行う前記条件として記録することを特徴とする電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法。

IPC (6件)：

G11C 29/00 652 , G11C 29/00 651 , G01R 31/28 , G06F 11/22 350 , G06F 12/16 330 , G11C 17/00

FI (9件)：

G11C 29/00 652 , G11C 29/00 651 S , G06F 11/22 350 B , G06F 12/16 330 A , G11C 17/00 D , G01R 31/28 B , G01R 31/28 D , G01R 31/28 P , G01R 31/28 V

Fターム (28件)：

2G032AA08 , 2G032AB01 , 2G032AC03 , 2G032AD07 , 2G032AE10 , 2G032AG02 , 2G032AH07 , 2G032AK01 , 2G032AK11 , 5B003AA05 , 5B003AB05 , 5B003AC00 , 5B003AD03 , 5B003AE04 , 5B018GA03 , 5B018HA01 , 5B018JA22 , 5B018NA06 , 5B048AA19 , 5B048CC02 , 5B048DD01 , 5L106AA10 , 5L106DD22 , 5L106DD24 , 5L106DD25 , 5L106DD31 , 5L106EE04 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (3件)

不揮発性半導体メモリシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-024769 出願人：株式会社東芝
メモリのデータ書き込み装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115633 出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
不揮発性半導体記憶装置の書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-348427 出願人：三菱電機株式会社

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