特許
J-GLOBAL ID：200903071884264987
アバランシ・フォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-318783
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086109
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 安定かつ長寿命の長波長帯の超高速アバランシ・フォトダイオードを提供すること。【解決手段】 n型電極層を、第1のn型電極層11と第2のn型電極層12とで構成することとし、第2のn型電極層12のn型領域が、なだれ増倍層13の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。これにより、なだれ増倍層13の側面側の領域での電束密度は比較的低いものとなりこの領域での電界強度が低下して、光吸収層17とp型電極層18の各側面での電界強度も低減されるとともに、なだれ増倍層13の表面に集中する暗電流を低減させて、安定かつ長寿命の電子注入型APDを実現することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、n型電極層となだれ増倍層と電界制御層と電界緩衝層とバンドギャップ傾斜層と光吸収層とp型電極層とが順次積層された積層構造を有し、
前記n型電極層は、n型の第1の電極層と当該第1の電極層の主面の一部領域に設けられ、かつ、少なくとも一部にn型領域を有する第2の電極層とで構成されるとともに、前記光吸収層と前記第2の電極層のn型領域とは対向して設けられており、
当該第2の電極層のn型領域を画定する外周は、前記なだれ増倍層の下面の外周に対して内側に位置するように設定されていることを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F049MA08
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049QA02
, 5F049QA19
, 5F049WA01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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