半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-230267
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049668
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】電力用トランジスタと制御用半導体素子とを共通の基板上に備え、電力用トランジスタにおける電力損失が従来よりも大幅に低減された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置200は、トランジスタ2と、トランジスタ2のゲート電位を制御する半導体素子10、11とを備え、トランジスタ2および半導体素子10、11は共通の炭化珪素基板1の上に形成されており、トランジスタ2と半導体素子10、11とを電気的に分離する素子分離領域12をさらに含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタと、前記トランジスタのゲート電位を制御する半導体素子とを備えた半導体装置であって、前記トランジスタおよび前記半導体素子は共通の炭化珪素基板上に形成されており、前記トランジスタと前記半導体素子とを電気的に分離する素子分離領域をさらに含む半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/76 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 21/336 , H01L 21/761 , H01L 21/762 , H01L 29/786

FI (11件)：

H01L29/78 656E , H01L29/78 652T , H01L27/08 331A , H01L27/08 331D , H01L27/08 102A , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F , H01L21/76 J , H01L21/76 D , H01L29/78 613Z , H01L29/78 626C

Fターム (64件)：

5F032AA09 , 5F032AA13 , 5F032AA82 , 5F032AB01 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA05 , 5F032CA07 , 5F032CA09 , 5F032CA16 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032CA21 , 5F032CA24 , 5F032DA03 , 5F032DA04 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA43 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BB05 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC20 , 5F048BD07 , 5F048BE02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG05 , 5F048BH01 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110HM12 , 5F110NN62 , 5F110NN66

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337905 出願人：株式会社デンソー

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