半導体チップ、その製造方法、半導体素子、および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181080
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】バンプ電極の接合部の剥がれやチップ配線の段切れ等によるオープン不良を起こしにくく、トランジスタ素子にダメージを与える応力を受けにくくする。【解決手段】半導体チップ基材500の周縁部に配置される入出力端子バンプ電極820は、下部構造物612が介在され、半導体チップ基材500の表面からの高さhsが素子バンプ電極810の高さht以上となるように調節される。これによって半導体チップ400を配線基板に実装する際のトランジスタ素子600にかかる応力を低減し、入出力端子バンプ電極820の接合強度を高めることができる。入出力端子バンプ電極820の下方のチップ配線の厚みを厚くしたり、下部構造物の側面にポリイミドによる被膜を形成したり、下部構造物612の形状をメサ状にするなどによって、段切れを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板の主面上への順次的な半導体層の積層によって構成され、メサエッチングによって各オーミック電極間が絶縁され、少なくとも1つのオーミック電極に接続される素子バンプ電極を具備する半導体素子を、単一個または並列に接続した複数個有し、素子バンプ電極とは異なる電位のチップ配線に接続される複数の入出力端子バンプ電極を具備する半導体チップにおいて、該入出力端子バンプ電極の下方と半絶縁性基板との間に設けられ、金属もしくは半導体層と同一物質から成り、半絶縁性基板の主面を基準として、入出力端子バンプ電極の高さが素子バンプ電極の高さ以上となるように調整する下部構造物を含むことを特徴とする半導体チップ。

IPC (4件)：

H01L 21/321 , H01L 23/12 301 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/92 602 M , H01L 23/12 301 Z , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137221 出願人：シャープ株式会社
縦型構造トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249400 出願人：シャープ株式会社
特開平2-105420

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