特許
J-GLOBAL ID：200903071963674716
波長可変半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135368
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】二重導波路型波長可変半導体レーザ(TTGレーザ)のチューニング層あるいはレーザ活性層にブロック構造を付加することにより、波長可変幅の拡大あるいは、光出力の向上を図る。【構成】MOVPE選択成長により作製したリッジ導波路構造の両脇へ、pn電流ブロック構造もしくは、高抵抗電流ブロック構造を付加する。活性層が上側にある構造では、この活性層に対して電流ブロック構造となるので、高電流注入時にも漏れ電流を抑制できるため高光出力動作が可能となる。チューニング層が上側にある構造では、このチューニング層に対して電流ブロック構造となるので、チューニング電流を効率よくチューニング層へ注入できるため、波長可変幅の拡大が可能となる。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体層上に回折格子を形成する工程と、前記回折格子を形成した第一導電型半導体層上の一部領域に選択成長を行うためのマスクをストライプ状にパターニングし、前記マスクのない領域に少なくともチューニング層と第二導電型半導体層と活性領域層とを選択的にエピタキシャル成長する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記選択成長により形成したメサ上面に成長を阻止するためのマスクを形成する工程と、前記マスクのない領域に少なくとも第二導電型半導体層と第一導電型半導体層と第二導電型半導体層とをエピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする波長可変半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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