特許
J-GLOBAL ID:200903071966878606
低高温電気特性測定方法および装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩佐 義幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-302570
公開番号(公開出願番号):特開平11-142469
出願日: 1997年11月05日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 半導体デバイス等における被測定素子を低高温にてその電気特性を測定するにあたり、被測定素子に対して高精度の温度調整を可能にし、またペルチェ(熱電素子)への供給電力を低く抑える。【解決手段】 熱電素子ペルチェ22から伝熱される冷熱プレート3の温度を制御し、被測定素子2に伝熱して低温または高温にて温度調整して電気特性を測定する。乾燥空気8でエアカーテンを形成して槽外部空気と遮蔽し、空気対流を無風状態に維持して、特に低温設定時に槽内部での結露を防止する。それにより、熱損失を抑えてペルチェ22への供給電力を小さくし、被測定素子2の温度変動を抑えて温度調整精度を高める。被測定素子2の周辺の槽内空気温度および冷熱プレート3の温度を検出し、被測定素子2の予測温度を算出し、設定温度に一致するようにペルチェ22の温度を制御する。
請求項(抜粋):
被測定素子を収容トレイを介して測定槽内に搬出入し、ペルチェ効果を利用した熱電素子から伝熱される冷熱プレートの温度を制御して、この冷熱プレートの熱を収容トレイを介して被測定素子に伝熱することにより、被測定素子を低温または高温にて温度調整して電気特性を測定する低高温電気特性測定方法であって、槽内セット後、前記被測定素子の周辺の槽内空気温度および前記冷熱プレートの各温度を検出し、これら槽内空気温度と冷熱プレート温度に基づいて前記被測定素子の予測温度を算出し、この予測温度が予め設定された設定温度に一致するよう、前記熱電素子を温度制御することを特徴とする低高温電気特性測定方法。
FI (3件):
G01R 31/26 H
, G01R 31/26 G
, G01R 31/26 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)
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IC試験用恒温槽装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-238786
出願人:安藤電気株式会社
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特開昭62-169063
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特開平2-147973
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