半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049360
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】逆バイアス時において、フィールドリミティング最内周層が破壊される現象の発生を防止し得るダイオードを提供する。【解決手段】アルミニウムからなるアノード用金属電極8を、半導体基板1の主表面に形成されるアノード層3よりも内側の領域に形成する。それにより、フィールドリミティング最内周4の最内周面からアノード電極用金属層8の最外周面までの不純物拡散領域3を電気的な抵抗として用いることができる。そのため、順バイアス時におけるフィールドリミティング最内周4の下側からカソード層2に向かって分布する正孔密度を小さくすることができる。その結果、逆バイアス時に、フィールドリミティング最内周層4の下面に向かって局所的に大きく流れるリカバリー電流の発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板の第1の主表面から所定の深さにかけて形成された、第2導電型を有する第1の不純物拡散領域と、前記第1の主表面において、前記第1の不純物拡散領域よりも外側の領域に、該第1の不純物拡散領域を取り囲むように、前記第1の主表面からの深さが前記第1の不純物拡散領域よりも深く、かつ、該第1の不純物拡散領域よりも濃度が高い、所定の幅で形成された環状の第2導電型を有する第2の不純物拡散領域と、前記半導体基板の前記第1の主表面上に前記第1の不純物拡散領域に接して、前記第2の不純物拡散領域の最内周から所定の距離をおいた内側の領域に設けられた第1の金属層と、前記半導体基板の第2の主表面に接するように設けられた第2の金属層とを備える、半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-152570
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-095499 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

特開平4-152570
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-095499 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る