特許
J-GLOBAL ID:200903071982803381
ITOパターン付き基板、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-008739
公開番号(公開出願番号):特開2002-216946
出願日: 2001年01月17日
公開日(公表日): 2002年08月02日
要約:
【要約】【課題】研磨工程を無くし、短絡防止絶縁層を必要とせず、また残渣のないITOパターン付き基板等を提供する。【解決手段】InとSnの酸化物をターゲットとして用い、基板温度をITO膜の結晶化温度以下に維持しながら、基板上にスパッタリング法でITO膜を作製し、液温が35°C以下のエッチング液を用いたITO膜のエッチングによりITOパターンを形成した後、加熱処理を施すと、ITOパターンのエッジ部がテーパ状になっており、かつ、基板上の前記パターンが設けられていない部位には実質上微結晶の残渣が存在しない。
請求項(抜粋):
基板上に設けられたITOパターンのエッジ部がテーパ状になっており、かつ、基板上の前記パターンが設けられていない部位には実質上微結晶の残渣が存在しないことを特徴とするITOパターン付き基板。
IPC (5件):
H05B 33/02
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (5件):
H05B 33/02
, H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
Fターム (14件):
3K007AB00
, 3K007AB07
, 3K007AB18
, 3K007BB01
, 3K007CA01
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EA04
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
, 3K007FA03
引用特許:
前のページに戻る