特許
J-GLOBAL ID：200903071994378600
多層導電層上に形成されたパッド部を具備する半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035971
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246313
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 多層の導電層上に形成されたパッド部を具備する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上10に第1層間絶縁膜14を形成する段階と、第1層間絶縁膜14上に第1導電層16を形成する段階と、第1層間絶縁膜14と第1導電層16の全面に第2層間絶縁膜38を形成する段階と、第2層間絶縁膜38をパタニングして第1導電層16上に複数の第1ブァイアコンタクトホール40を形成する段階と、複数の第1ブァイアコンタクトホール40を埋めこむ第2導電層42を第2層間絶縁膜38上に形成する段階と、第2導電層42上にパッド窓52を有する上部絶縁膜50を第2層間絶縁膜38の全面に形成する段階とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下部絶縁膜と、前記下部絶縁膜上に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成された少なくとも一つ以上の多層構造とが存在し、前記多層構造は複数のブァイアコンタクトホールを有する層間絶縁膜と前記層間絶縁膜上に形成された第2導電層とからなり、前記第2導電層上にはパッド窓を具備する上部絶縁膜が形成されていることを特徴とする多層導電層上に形成されたパッド部を具備する半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
