特許

J-GLOBAL ID：200903072006793270

酸化物薄膜素子の製造方法

発明者： 小西 義則
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249606
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064094
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】Si単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物薄膜の機能膜をエピタキシャル成長させた酸化物薄膜素子を提供する。【解決手段】Si基板表面に電子線照射あるいは紫外線照射をおこない、Si基板上のSiO2 薄膜を除去した後、酸化物薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に酸化物薄膜を製膜した酸化物薄膜素子の製造方法において、シリコン基板表面に超高真空、800°C以上の高温状態で電子線照射をおこなって基板上のシリコン酸化膜を除去した後に、酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C

Fターム (16件)：

5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BE05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF05 ,  5F058BF77 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ヘテロ界面形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259759   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-168768
  
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-144284   出願人：日本電気株式会社