特許
J-GLOBAL ID：200903072010392787
メモリ素子およびメモリ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115174
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288016
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】電気パルスにより簡便に抵抗変化するメモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のメモリ素子においては、可変抵抗膜504が下部金属電極503と上部金属電極505に挟まれた構造が形成されており、可変抵抗膜504には、下部金属電極503と上部金属電子505を構成する原子のどちらか一方、もしくは、両方がドーピングされている。上部金属電極505及び下部金属電極503の少なくとも一つは、Ptを用いて構成された電極であり、可変抵抗膜504は鉄酸化物で構成されている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第一の電極と、第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極との間に接続される可変抵抗薄膜とを備え、前記可変抵抗薄膜の少なくとも一部に、前記第一の電極と前記第二の電極の少なくとも一方を構成する元素がドーピングされている事を特徴とするメモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA28
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR22
, 5F083PR33
