特許
J-GLOBAL ID：200903072019130173

パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法

発明者：
城戸 秀作

城戸 秀作 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176534
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334830
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造上、2回のPR工程を1回にすればコストダウン効果は大きいが、従来例のシリル化処理によるレジストの体積膨張で、レジストを2回のPR工程に用いる方法では、現在のところ0.1〜2.0μmまでの体積膨張しか実現されておらず、特に、ソース・ドレイン電極間隔が4μm以上のTFTの形成には、適用が困難となる欠点があった。【解決手段】 レジストマスク7による1回目のエッチングの後、レジストマスク7中に有機溶剤を浸透させレジストマスク7を溶解リフローさせると、溶解リフローレジストマスク13が得られる。レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、2回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線11が容易に形成できるようになる。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜の上に所定のパターンを有する有機膜を形成する工程と、前記有機膜をマスクとして前記被エッチング膜をその表面から一部除去して、前記被エッチング膜を露出領域と前記有機膜に被覆された被覆領域とする工程と、前記有機膜を変形させて前記露出領域にまで延在する変形有機膜とする工程と、前記変形有機膜をマスクとして前記被エッチング膜の露出領域をエッチングする工程とを有するパターン形成方法であって、前記変形有機膜を形成する工程が、前記有機膜に有機溶剤の溶液を浸透させ、前記有機膜の溶解を生じさせる溶解リフローにより行われることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (11件)：
H01L 21/027 ,  G02F 1/1368 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (10件)：
G02F 1/1368 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (85件)：
2H092GA14 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA47 ,  2H092KB03 ,  2H092MA12 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092QA06 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA05 ,  2H096HA17 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5F004BB13 ,  5F004CA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB06 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA10 ,  5F004EA40 ,  5F046AA20 ,  5F046LA18 ,  5F046MA12 ,  5F046MA13 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HL07 ,  5F110HM03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA17 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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