特許
J-GLOBAL ID：200903025932644302
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131719
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 4枚のマスクを用いて液晶用薄膜トランジスタ基板を製造する。【解決手段】 1)ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を、第1マスクを用いて絶縁基板上に形成し、2)ゲート配線を覆うゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層及びデータ導体層を順次積層し、3)第2マスクを用いてデータ導体層をパターニングし、データ線、ソース電極及びドレイン電極を含むデータ配線を形成し、4)データ配線で遮られない抵抗接触層を除去し、5)データ配線及び半導体層上部に保護膜を積層し、6)保護膜、半導体層及びゲート絶縁膜を第3マスクで一度にパターニングし、ドレイン電極を露出する第1接触孔を形成し、7)保護膜及び基板の上部に導電層を積層し、8)第4マスクを用いて導電層をパターニングし、第1接触孔を通じてドレイン電極と連結される画素電極を形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート線及びゲート線と連結されているゲート電極を含むゲート配線を、第1マスクを用いて絶縁基板上に形成する段階と、前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層及びデータ導体層を順次に積層する段階と、第2マスクを用いて前記データ導体層をパターニングし、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記データ線と連結されていて前記ゲート電極に隣接するソース電極と、前記ゲート電極に対して前記ソース電極の反対側に位置するドレイン電極とを含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線で遮られない前記抵抗接触層を除去する段階と、前記データ配線及び前記半導体層上部に保護膜を積層する段階と、前記保護膜、前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜を、第3マスクを用いて一度にパターニングし、前記ドレイン電極を露出する第1接触孔を形成する段階と、前記保護膜及び前記基板の上部に、導電層を積層する段階と、第4マスクを用いて前記導電層をパターニングし、前記第1接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/1365
, G09F 9/30 338
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 D
