特許

J-GLOBAL ID：200903072030172457

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 鈴木 篤 ,  柏木 章秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104763
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279502
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】たとえCu等の金属不純物がシリコン酸化膜中に混入した場合であっても、シリコン酸化膜中から金属不純物を効果的に除去することができ、優れた特性を有するシリコン酸化膜を形成し得るシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体基板30上にシリコン酸化膜32を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気を大気圧よりも減圧した状態で、シリコン酸化膜32を熱処理することを特徴とする。ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気の圧力は、1.3×102Pa(1Torr)以下であることが好ましく、シリコン酸化膜の形成は加湿酸化法にて行うことが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気を大気圧よりも減圧した状態で、該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086836   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭53-052352
  
• 特開平3-219632
  
• 特開昭54-022169
  

審査官引用 (2件)

• シリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086836   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭53-052352