特許

J-GLOBAL ID：200903072055304420

多層回路基板及びその製造方法

発明者： 川上 弘倫
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165381
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353877
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 Ag系導体パターン、厚膜抵抗体を備えた絶縁層を有する多層回路基板であって、厚膜抵抗体の抵抗値の変動が少なく、信頼性の高い多層回路基板を提供すること。【解決手段】 Ag系導体パターン3a、厚膜抵抗体4aを備えた絶縁層2bを有し、絶縁層2bには、AgやAg2Oが金属Ag換算量で0.001〜5重量%含有されていることを特徴とする多層回路基板1。

請求項（抜粋）：

Ag系導体パターン、厚膜抵抗体を備えた絶縁層を有する多層回路基板において、前記絶縁層には、Ag及び/又はAg化合物が金属Ag量に換算して0.001〜5重量%含有されていることを特徴とする、多層回路基板。

FI (3件)：

H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T

Fターム (8件)：

5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346DD34 ,  5E346EE29 ,  5E346EE32 ,  5E346GG09 ,  5E346GG19 ,  5E346HH31

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-092497
  
• セラミック配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-231755   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-040396
  
• 特開平4-092497
  
• 特開昭63-040396