特許
J-GLOBAL ID：200903072057285768
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 詔男
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 加藤 清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190048
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012786
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 素子動作時の動作抵抗を増加させることなく、リカバリータイム(逆回復時間)を短縮することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板100上に形成された第1導電型の第1の半導体領域102を介して前記半導体基板上に互いに対向するように形成された第1及び第2のトレンチ103、104と、前記第1及び第2のトレンチの側面に形成されたゲート絶縁膜105と、前記第1及び第2のトレンチの内部に形成されたゲート電極106と、前記第1のトレンチと第2のトレンチの間に形成され、且つ前記第1の半導体領域に接触するように形成された第2導電型の第2の半導体領域107と、前記第2の半導体領域に接触する、第1導電型の第3の半導体領域108とを有し、互いに対向する前記第1のトレンチと第2のトレンチとの間の、前記第1の半導体領域内にライフタイム制御領域110が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたトレンチの側壁にチャネルが形成される絶縁ゲート構造を有する半導体装置において、
隣り合うトレンチの側壁間にキャリアのライフタイムが他の領域におけるキャリアのライフタイムより比較して小さくしたライフタイム制御領域を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 27/04
H01L29/78 658H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 657A
