特許
J-GLOBAL ID:200903072072533140

ギ酸銅の製造方法、銅粒子の製造方法および配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-206960
公開番号(公開出願番号):特開2008-031104
出願日: 2006年07月28日
公開日(公表日): 2008年02月14日
要約:
【課題】効率よくギ酸銅を製造する方法、その方法を用いて銅粒子を製造する方法、当該銅粒子を分散させた液体材料を用いた配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】ギ酸と、銅と、酸化剤とを反応させることによりギ酸銅を得るギ酸銅の製造方法。ギ酸銅を得る第1の工程と、ギ酸銅を脂肪族アミンに溶解することによりギ酸銅錯体を製造する第2の工程と、ギ酸銅錯体の2価の銅が0価の銅に還元されるとともに、ギ酸配位子が二酸化炭素に酸化されるように、ギ酸銅錯体を分解することにより銅粒子を製造する第3の工程とを有する銅粒子の製造方法、ならびに、かかる方法により得られた銅粒子を分散媒に分散させて液体材料を形成する液体材料形成工程と、液体材料を基板に塗布する塗布工程と、塗布工程の後、基板に熱処理を施し基板上に配線を形成する熱処理工程と、を有する配線基板の製造方法に関する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ギ酸と、銅と、酸化剤とを反応させることによりギ酸銅を得ることを特徴とするギ酸銅の製造方法。
IPC (5件):
C07C 51/41 ,  H05K 3/12 ,  H01B 13/00 ,  B22F 9/30 ,  C07C 53/06
FI (5件):
C07C51/41 ,  H05K3/12 610B ,  H01B13/00 503Z ,  B22F9/30 ,  C07C53/06
Fターム (28件):
4H006AA02 ,  4H006AC47 ,  4H006BD70 ,  4H006BE24 ,  4H006BE32 ,  4H006BS70 ,  4H048AA02 ,  4H048AC47 ,  4H048AC90 ,  4H048BE24 ,  4H048BE32 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4K017AA03 ,  4K017BA05 ,  4K017CA08 ,  4K017EK05 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343AA33 ,  5E343BB24 ,  5E343BB72 ,  5E343BB78 ,  5E343DD12 ,  5E343GG11 ,  5G323AA03
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5093510号公報
審査官引用 (7件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Chemical Abstracts,1988年,vol.109,abs.no.57601v

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