不正読み出しを防止した不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178615
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005729
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】パスワードを利用して認証することにより不正コピーを防止する不揮発性メモリにおいて、そのパスワード領域の読み出しを困難にする。【解決手段】不揮発性メモリ内のパスワード領域へのアクセスを、単にアドレスを通常通り順番に供給するだけでは不可能にすることにある。例えば、一つの好ましい実施態様では、パスワード領域にトラップアドレスを設定し、そのトラップアドレスを避けてアクセスする場合にのみパスワード領域の読み出しを許可し、トラップアドレスによりアクセスされる場合は、読み出しを禁止し、または無意味なデータを出力し、またはパスワード領域の情報を破壊する。別の好ましい実施態様では、パスワード領域のアクセスの順番を任意に設定可能にし、その設定された順番でアクセスされる場合にのみパスワード領域の読み出しを許可し、設定された順番以外の順番でアクセスされる場合は、読み出しを禁止し、または無意味なデータを出力し、またはパスワード領域の情報を破壊する。

請求項（抜粋）：

主メモリ領域へのアクセスを許可する認証用のパスワードを記録したパスワード領域を有する不揮発性メモリにおいて、前記パスワード領域内に前記パスワードが記録されないトラップアドレス領域を設け、前記パスワード領域へのアクセス時に、前記トラップアドレス領域へのアクセスが行われた場合に、当該パスワード領域の情報の読み出しを禁止することを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

G06F 12/14 320 , G06F 3/06 304 , G11C 16/02

FI (3件)：

G06F 12/14 320 A , G06F 3/06 304 H , G11C 17/00 601 P

Fターム (8件)：

5B017AA07 , 5B017BA05 , 5B017CA11 , 5B017CA14 , 5B025AE10 , 5B065BA09 , 5B065PA04 , 5B065PA14

引用特許：

審査官引用 (10件)

保護されたメモリを含む集積回路及びその集積回路を使用した保護されたシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289226 出願人：エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
メモリカードの不正複写防止装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048460 出願人：富士通株式会社
半導体記憶装置及びその記憶データのコピー方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-209827 出願人：株式会社東芝

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