特許

J-GLOBAL ID：200903072160935916

光起電力装置

発明者： 寺川 朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-030373
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263171
出願日： 2008年02月12日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：

【課題】出力特性をより向上させることが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、n型単結晶シリコン基板1と、p型非晶質シリコン層2bと、n型単結晶シリコン基板1およびp型非晶質シリコン層2bの間に配置された実質的に真性なi型非晶質シリコン層2aとを備え、n型単結晶シリコン基板1は、p型非晶質シリコン層2bとの界面に、2nm以下の高さを有する非周期的な凹凸形状を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1導電型の結晶シリコンと、 第2導電型の第1非結晶シリコン層と、 前記結晶シリコンおよび前記第1非結晶シリコン層の間に配置された実質的に真性な第2非結晶シリコン層とを備え、 前記結晶シリコンは、前記第2非結晶シリコン層との界面に、2nm以下の高さを有する非周期的な凹凸形状を有する、光起電力装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (5件)：

5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051GA15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-003785   出願人：三洋電機株式会社