特許
J-GLOBAL ID：200903056976175124
光起電力装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221142
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】非晶質シリコン層の膜質の低下および結晶系シリコン基板表面の結晶欠陥に起因する出力の低下を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、シリコン(111)面が露出された凹凸形状の表面を有し、その表面においてテラス部1aとステップ部1bとが規定可能なn型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の表面上に形成された実質的に真性なi型のノンドープ非晶質シリコン層2とを備えている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコン(111)面が露出された凹凸形状の表面を有し、前記表面においてステップ部とテラス部とが規定可能な結晶系シリコン基板と、
前記結晶系シリコン基板の表面上に形成された非晶質半導体層とを備えた、光起電力装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 M
, H01L21/306 B
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F051AA05
, 5F051BA18
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA16
, 5F051CA35
, 5F051CA36
, 5F051DA04
, 5F051FA16
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051GA20
