特許

J-GLOBAL ID：200903072170538451

改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子

発明者： ローリー、 タイラー ,  オヴシンスキー、 スタンフォード アール. ,  ウィッカー、 ギー スィー. ,  クラーシー、 パトリック ジェイ. ,  パシュマコフ、 ボイル ,  ジュバッティ、 ヴォロディミール ,  コスティレフ、 セルゲイ
出願人/特許権者： オヴォニクス インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-607287
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540605
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：

【要約】ある容積の相変化記憶材料(250)、及び電流を記憶材料(250)へ供給するための第一及び第二接合から成るメモリ素子、此処で第一接合は伝導性側壁スペーサ(130A,B)から成る。代りに、第一接合は記憶材料に隣接した端面を具備する接合層から成ることもある。

請求項（抜粋）：

以下の構成から成ることを特徴とする、電気的にプログラマブルな単一セルメモリ素子: ある容積の相変化記憶材料; 及び 前記記憶材料に電気的信号を供給するための第一及び第二接合、前記第一接合は伝導性側壁スペーサから成る。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/08 321 K

Fターム (28件)：

5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB19 ,  5F048BD07 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF07 ,  5F048BH02 ,  5F048CB07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭47-041570
  
• テーパード・コンタクトを有するマルチビット単一セルメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-538209   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 電極間に小面積のコンタクトを製造するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-531338   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレーテッド