特許
J-GLOBAL ID：200903072173383270
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236009
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201412
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】半導体レーザ素子の端面に形成された窒化物からなる誘電体層の変質に起因する出力の低下および信頼性の低下を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ装置素子20は、光出射面5aに形成されたAlNからなる誘電体層5bを有する窒化物系半導体レーザ素子5と、窒化物系半導体レーザ素子5が気密封止されるパッケージ部1とを備えている。また、パッケージ部1内の雰囲気は、水分濃度5000ppm以下の窒素雰囲気である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも光出射面に形成された窒化物からなる誘電体層を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が気密封止されるパッケージ部とを備え、
前記パッケージ部内の雰囲気は、水分濃度5000ppm以下の窒素含有雰囲気である半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173MA05
, 5F173MB05
, 5F173MC04
, 5F173MD04
