特許
J-GLOBAL ID：200903031514085135

窒化物半導体レーザ装置

発明者：
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について

, 
花岡 大介

花岡 大介 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013327
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209801
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 サージによる劣化が解消・軽減、あるいはサージによる劣化の発生が生じにくい半導体レーザ装置を提供することである。 【解決手段】 導電性のステム101と、ステム101に固定されたサブマウント102と、サブマウント102にマウントされた窒化物半導体レーザチップ103と、ステム101に絶縁性を有して固定されたピン104、105と、ピン104と窒化物半導体レーザチップ103のp電極とを接続するワイヤと、ピン105と窒化物半導体レーザチップ103のn電極とを接続するワイヤと、該ワイヤと窒化物半導体レーザチップ103とサブマウント102とを覆ってステム101に固定される非導電性材料のキャップ106とを備えた構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性の積載台と、該積載台に固定されたサブマウントと、該サブマウントにマウントされた窒化物半導体レーザチップと、前記積載台に絶縁性を有して固定された第1の電気端子と、該第1の電気端子と前記窒化物半導体レーザチップの第1の電極とを接続するワイヤと、該ワイヤと前記窒化物半導体レーザチップと前記サブマウントとを覆って前記積載台に固定されるキャップとを備え、 前記キャップは非導電性材料であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S5/022 ,  H01S5/343
FI (2件)：
H01S5/022 ,  H01S5/343 610
Fターム (8件)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA27
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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