特許

J-GLOBAL ID：200903072178526924

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 睦 ,  西谷 輝 ,  西谷 幹彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062762
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260994
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において、高品質の多結晶シリコン膜を安定して形成することができない。また、半導体層とゲート絶縁膜との界面特性が良好なデバイスを作製することができない。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、非晶質シリコン膜に対し、特定のガスに置換された雰囲気状態において、該非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に改質する第2の工程と、前記多結晶シリコン膜の表面にゲート絶縁膜となる絶縁性薄膜を真空中若しくは減圧下において形成する第3の工程とを少なくとも有し、第1から第3までの工程を大気に曝さずに連続して処理する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、真空中若しくは減圧下において非晶質シリコン膜を形成する第1の工程と、前記非晶質シリコン膜に対し、特定のガスに置換された雰囲気状態において、該非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に改質する第2の工程と、前記多結晶シリコン膜の表面にゲート絶縁膜となる絶縁性薄膜を真空中若しくは減圧下において形成する第3の工程とを少なくとも有し、第1から第3までの工程が大気に曝されずに連続して処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 29/78 627 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 G ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (30件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 多結晶薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-229224   出願人：松下電器産業株式会社