半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331956
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】耐熱性に優れ、かつ接合リークを低く保てる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】トランジスタのゲート電極4およびソース・ドレイン領域6の上にチタン膜7、コバルト膜8、窒化チタン膜9を順次堆積した後に、600°Cから675°Cの範囲の温度で第1の急速熱処理を行う。未反応の金属膜を除去した後、800°Cから1000°Cの範囲の温度で第2の急速熱処理を行い、基板1上にエピタキシャル成長したコバルトシリサイド膜10’を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン領域と多結晶シリコン領域と絶縁性領域とを含む領域を備えた半導体装置であって、前記単結晶シリコン領域上に形成された第1のコバルトシリサイド膜と、前記多結晶シリコン領域上に形成された第2のコバルトシリサイド膜とを備え、前記第1のコバルトシリサイド膜は前記単結晶シリコン領域上にエピタキシャル成長している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

Fターム (21件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104DD85 , 4M104FF14 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EA09 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EH02 , 5F040FC19

引用特許：

審査官引用 (2件)

MISトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-303278 出願人：株式会社デンソー
シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-163370 出願人：インテル・コーポレーシヨン

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