特許

J-GLOBAL ID：200903072204950683

半導体電極形成方法および装置

発明者： 清水 貴思
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065561
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264486
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 酸化物半導体上に電気的特性の優れた電極を形成する。【構成】 反応性酸化ガス供給装置8から1015〜1017cm-2s-1の流束密度の高純度オゾンを電極材料堆積装置1の真空槽6内に導入し、酸化物半導体Sから酸素が脱離しない温度までオゾンを照射し続けながら冷却した後、速やかに真空槽6を10-6Torr以下の高真空にし、電子銃式電極材料堆積部4または抵抗加熱式電極材料堆積部5により酸化物半導体Sの表面に電極材料を堆積する構成を特徴としている。

請求項（抜粋）：

酸化物半導体の表面上に、オゾン、原子状酸素、二酸化窒素、酸素イオン、酸素プラズマのうちの一つまたは複数の反応性酸化ガスを導入し、そのまま大気にさらすことなく電極材料を前記酸化物半導体の表面上に堆積することを特徴とする半導体電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 14/24 M ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-185316