研究者
J-GLOBAL ID：200901060006673024
更新日: 2022年07月06日
清水 貴思
シミズ タカシ | Shimizu Takashi
所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 機能集積システムグループ
独立行政法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 機能集積システムグループ について
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ホームページURL (1件)：
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MISC (5件)：
超臨界流体を用いた微細構造上への酸化物薄膜の堆積. Extended Abstract(52th Spring Meeting, 2005); The Japan Society of Applied Physics. 2005. 2. 727-727
T Shimizu, K Ishii, E Suzuki. Electrical properties of ruthenium/metalorganic chemical vapor deposited La-oxide/Si field effect transistors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 11A. L1315-L1317
H Yamada, T Shimizu, A Kurokawa, K Ishii, E Suzuki. MOCVD of high-dielectric-constant lanthanum oxide thin films. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2003. 150. 8. G429-G435
H Yamada, T Shimizu, E Suzuki. Interface reaction of a silicon substrate and lanthanum oxide films deposited by metalorganic chemical vapor deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 4A. L368-L370
Nonaka H., Shimizu T., Arai K., Kurokawa A., Ichimura S. In-situ work function measurement of molecular beam epitaxy film surface using RHEED-beam excited secondary electron peaks. JOURNAL OF SURFACE ANALYSIS. 2002. 9. 3. 344-347
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