特許
J-GLOBAL ID:200903072206139230
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-367397
公開番号(公開出願番号):特開2005-150762
出願日: 2004年12月20日
公開日(公表日): 2005年06月09日
要約:
【課題】 保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の保護機能が働く条件の拡大と加熱遮断の向上と誤動作防止と使い勝手の向上を図る。【解決手段】 本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、電力用絶縁ゲート型半導体素子(M9)と、該電力用絶縁ゲート型半導体素子を制御する保護回路用MOSFET(M1〜M7)と、定電圧回路用ダイオード(D2a〜D2f)の順方向電圧を利用した定電圧回路と、該定電圧回路の電源電圧の上限を制御する電圧制限用のダイオード(D1とD0a〜D0d)とを具備し、該電圧制限用のダイオードの電力が前記電力用絶縁ゲート型半導体素子の外部ゲート端子から供給されることを特徴とするものである。本発明によれば、保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の信頼度を向上と使い勝手の向上を図れるという効果がある。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体装置であって、
第1端子と;
第2端子と;
第3端子と;
前記第1端子に結合されるゲート端子を有する絶縁ゲート型トランジスタ、および前記第2端子と前記第3端子との間に前記絶縁ゲート型トランジスタが結合されることによって生じる電流パスと;
前記第1端子と前記第3端子との間に結合され、前記半導体装置の温度を検出するための温度検出素子を含み、前記半導体装置の温度の絶対値が所定値と同じか、または前記所定値を越えるときに温度検出信号を出力する温度検出回路と;
前記温度検出信号に応答して前記絶縁ゲート型トランジスタをカットオフするようにターンオンされ、前記温度検出信号を受け取るための第1制御端子、および前記第1端子と前記第3端子との間に結合される第1電流パスを有する第1スイッチ回路と;
前記第1端子に結合される第1アノード電極、および前記第3端子に結合される第1カソード電極を有する第1ダイオードを有し、前記温度検出回路の動作電圧を生成するための定電圧回路と;
を含み、
前記温度検出素子は、第2制御端子に結合される第2アノード電極、および前記第3端子に結合される第2カソード電極を有する第2ダイオードを含み、
前記温度検出回路は、前記第1端子と前記第3端子との間に結合され、前記第1制御端子に結合される第2電流パス、および前記第2制御端子を有し、前記温度検出信号を出力する第2スイッチ回路と、前記第2制御端子と前記第1端子との間に結合される第1抵抗素子とをさらに含み、
前記温度検出素子は、前記第2制御端子と前記第3端子との間に結合されることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L29/78
, H01L21/822
, H01L21/8234
, H01L27/04
, H01L27/06
, H01L27/088
, H03F1/52
FI (7件):
H01L29/78 657G
, H01L29/78 657F
, H01L27/06 311C
, H03F1/52 B
, H01L27/04 H
, H01L27/06 102A
, H01L27/08 102A
Fターム (50件):
5F038AR09
, 5F038AV05
, 5F038AV06
, 5F038AZ08
, 5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH04
, 5F038BH07
, 5F038BH11
, 5F038BH16
, 5F038BH19
, 5F038CA02
, 5F038CA08
, 5F038EZ13
, 5F038EZ20
, 5F048AA02
, 5F048AA05
, 5F048AC06
, 5F048AC07
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BA20
, 5F048BC03
, 5F048BC12
, 5F048BC18
, 5F048CC07
, 5F048CC08
, 5F048CC11
, 5F048CC12
, 5F048CC15
, 5F048CC17
, 5J500AA01
, 5J500AA41
, 5J500AC57
, 5J500AF00
, 5J500AH02
, 5J500AH10
, 5J500AH19
, 5J500AH25
, 5J500AH29
, 5J500AH33
, 5J500AH43
, 5J500AK00
, 5J500AK11
, 5J500AK28
, 5J500AQ02
, 5J500AQ03
, 5J500AT02
, 5J500PF08
, 5J500PG02
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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特開昭63-229758
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特開平3-276669
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特開昭59-110225
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-166703
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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特開平3-187254
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特開昭62-143450
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特開平1-122321
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特開平3-148861
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