特許

J-GLOBAL ID：200903072253936521

分子デバイスとその製造方法

発明者： 魚崎 浩平
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-309431
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079410
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】ナノ制御デバイス、ナノファブリケーションの中核的基盤技術として有用な、シリコン基板表面の単分子層とその構造、機能の制御に係わる新しい分子デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】水素終端化されたシリコン基板表面を末端炭素-炭素不飽和結合を有する所定の炭素鎖長の炭化水素と反応させてシリコン炭素共有結合により結合された炭化水素の単分子層を形成し、炭化水素の炭素鎖長によって耐電圧特性を可変とし、また、微細探針とにより構成されるMIS結合が、微細探針に加えられる圧力によって電気抵抗が可変とされるものとする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にシリコン-炭素の共有結合により結合された炭化水素分子の単分子層を有する分子デバイスであって、単分子層を構成する炭化水素分子の炭素鎖長によって耐電圧特性が可変とされていることを特徴とする分子デバイス。

IPC (4件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/84

FI (4件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/84 Z

Fターム (10件)：

4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA41 ,  4M112CA42 ,  4M112CA46 ,  4M112CA47 ,  4M112DA13 ,  4M112EA01 ,  4M112EA02 ,  4M112FA01