半導体回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107518
公開番号（公開出願番号）：特開平9-294026
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】歪み特性を悪化させることなく、電源電圧の低い増幅器や周波数変換回路を提供する。【解決手段】電源と接地との間に、接地側から順に、しきい値が相対的に浅いFETで構成される第1FET11と、しきい値が相対的に深いFETで構成される第2FET12とを直列に配設し、増幅器を構成する。また、第1FET11のゲート-入力端子16間に入力整合回路14を設け、第2FET12のドレイン-出力端子17間に出力整合回路15を設ける。増幅器の動作電流がしきい値の浅い第1FETの0バイアス点でのドレイン電流によって設定されることを利用して、電源電圧を低電圧化できる。

請求項（抜粋）：

接地と電源との間に第1FET及び第2FETを上記接地側から順に直列に配置して構成される半導体回路において、上記第1FETは、入力信号を受けるゲートと,上記接地に接続されるソースと,ドレインとを有し、かつしきい値が相対的に浅く設定されており、上記第2FETは、上記第2FETのソースに接続されるゲートと,ソースと,上記電源に接続され信号出力部となるドレインとを有し、かつ上記第1FETよりもしきい値が深く設定されていて、上記第1FETのゲートから入力された信号を増幅して上記第2FETのドレインから出力する増幅器として機能することを特徴とする半導体回路。

IPC (2件)：

H03F 1/22 , H03D 7/12

FI (3件)：

H03F 1/22 , H03D 7/12 C , H03D 7/12 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-060214
増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-138542 出願人：シャープ株式会社
特開昭56-007479

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