特許
J-GLOBAL ID：200903072269150986
集束粒子ビーム装置を用いるパターン薄膜修理
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 喜樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-544310
公開番号（公開出願番号）：特表2001-521678
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 2001年11月06日
要約：
【要約】一般に、本発明は、基板上にパターン付けされた半透明薄膜を備えたワークから余剰部分を除去するのに集束粒子ビーム装置を用いる方法を提供し、更に詳細には、臭素を含むエッチングガスを用いたガス補助エッチングの方法を提供する。本発明の一様態では、(i)XおよびY方向に移動可能な可動ステージ上に前記ワークを載置する段階と、(ii)基板上にパターン付けされた半透明薄膜を備えたワークの選択された表面部分を集束粒子ビームで走査する段階と、(iii)前記ワーク走査段階の結果として前記ワークから放出された粒子の強度を検出する段階と、(iv)前記粒子の検出強度に基づいて、前記パターン付けされた薄膜の形状を特定する段階と、(v)前記パターン付けされた薄膜の形状に基づいて前記パターン付けされた薄膜の余剰部分を特定する段階と、(vi)前記集束粒子ビームで前記余剰部分をエッチングする段階と、(vii)前記エッチングする段階と同時に、前記余剰部分の選択した近接部分へエッチングガスを導入する段階と、を含む。前記エッチングガスには、臭素および臭素を含有した物質が含まれる。前記エッチングガスは、水蒸気を更に含んでも良い。
請求項（抜粋）：
基板上にパターン付けされた半透明薄膜を備えたワークから余剰部分を除去するのに集束粒子ビーム装置を用いる方法であって、 集束粒子ビームで前記ワークの前記余剰部分を照射する段階と、 前記照射する段階と同時に、エッチングガスを前記余剰部分の選択した近接個所に導入する段階と、 前記エッチングガスが臭素と水蒸気とを含み、 前記半透明薄膜から選択した部分が除去された時点で、前記照射する段階を中止する段階と、を包含する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, G03F 1/08
, H01J 37/305
G03F 1/08 V
, G03F 1/08 W
, H01J 37/305 A
, H01L 21/302 Z
