特許

J-GLOBAL ID：200903072271384811

薄膜ガスセンサ

発明者： 松原 健 ,  鈴木 卓弥 ,  国原 健二 ,  小林 光男 ,  田畑 総一 ,  檜垣 勝己 ,  大西 久男 ,  橋本 猛
出願人/特許権者： 富士電機機器制御株式会社 ,  大阪瓦斯株式会社
代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370933
公開番号（公開出願番号）：特開2005-134249
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。【解決手段】感知層7を、第1層としてドナーとなる+5価または+6価の元素を添加したSnO2層9、その上の第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層10の、2層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第2層10における触媒添加量を10wt%を超え60wt%以下とすることにより、水素ガス選択性,メタンガス選択性ともに向上させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーター層を電気絶縁膜で覆い、その上に第1層としてドナーとなる+5価または+6価の元素を添加したSnO2層、さらにその上に第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接し所定間隔おいて1対の貴金属からなる感知電極層を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、 前記ガス感知層を形成する第2層の触媒の添加量を10wt%を超え60wt%以下とすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N27/12 ,  G01N27/16

FI (3件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/16 B

Fターム (47件)：

2G046AA11 ,  2G046BA01 ,  2G046BA03 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BD03 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046BF02 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE10 ,  2G046FE25 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G060AA01 ,  2G060AB08 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BA03 ,  2G060BB02 ,  2G060BB09 ,  2G060BB18 ,  2G060HB05 ,  2G060HB06 ,  2G060HC06 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060HE02 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105840   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096952   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-021397
  
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096952   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭54-007196