特許
J-GLOBAL ID：200903039425690239

ガスセンサ

発明者：
大西 久男

大西 久男 について

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田畑 総一

田畑 総一 について

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横山 晃太

横山 晃太 について


出願人/特許権者：
大阪瓦斯株式会社

大阪瓦斯株式会社 について


代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298108
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力で駆動でき、メタンに対する選択性が高く検知でき、素子の実効温度変化の小さいガスセンサを提供する。【解決手段】 下面に凹部18を設けたシリコン基板12上に、SiO2 絶縁層14を備え、その上にヒータ20及び保護膜としてのSiO2 絶縁層22を有し、酸化スズ薄膜26からなる感応層を備える。この酸化スズ薄膜26を覆うように、2層構造の触媒層28a,28bを設ける。この酸化スズ薄膜26の両端部には、この層の抵抗値の変化を検出するための一対の白金よりなる電極24,24が設けられる。
請求項（抜粋）：
厚みの一部薄くした基板と、前記基板の厚みを薄くした部分に形成されたヒータと、前記ヒータ上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたガス感応体と、前記ガス感応体に設けられた一対の電極とを有し、前記ガス感応体は、前記絶縁層上に設けられた膜状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体の気相接触部を覆うように設けられた多孔質の触媒層と、から構成されることを特徴とするガスセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C
Fターム (11件)：
2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046DB04 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE39
引用特許：
審査官引用 (24件)
  • 特開平1-250852
  • ガスセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238021   出願人：株式会社東芝
  • 特開平4-348280
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