特許
J-GLOBAL ID:200903072273690901
p型III族窒化物半導体とその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-266361
公開番号(公開出願番号):特開2001-094149
出願日: 1999年09月20日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】 p型III 族窒化物半導体のキャリア注入の高効率化および抵抗の低減化を実現する手段の開発。【構成】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとp型不純物を含むガスを用いてGaN系半導体を成長させる方法において、p型不純物を含むガスとしてMgを含むガスを用い、これらの原料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いるとともに、インジウム源のガスをインジウム源ガスのモル比がガリウム源ガス1に対して0.001以上で1以下となる量とし、成長温度を950〜1050°Cの範囲において室温で測定した正孔キャリア濃度1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上が得られる温度とすることにより、1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>のInを含むMgをドープしたAl<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>x </SB>N(ただし、0≦y<1、xは1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>に相当するモル分率、0<x+y≦1)膜を形成することによりアニールの工程をとること無しで正孔キャリア濃度を増大させる。
請求項(抜粋):
1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>のInを含むMgをドープしたAl<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>x </SB>N(ただし、0≦y<1、xは1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP></SP><SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>に相当するモル分率、0<x+y≦1)膜であって、アニールされていないで室温で測定した正孔キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上であることを特徴とするp型III 族窒化物半導体。
IPC (3件):
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 5/323
FI (3件):
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 5/323
Fターム (41件):
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB08
, 5F045BB16
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA59
, 5F045DP07
, 5F045DQ06
, 5F045EB15
, 5F045EE12
, 5F045EK03
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073EA23
, 5F073EA24
引用特許:
前のページに戻る